表面活性劑主要用于輔助水熱法合成納米材料。以Na2WO4?2H2O和CdCl2為主要原料，分別在十六烷基三甲基溴化銨（CTAB）和十二烷基苯磺酸鈉（SDBS）表面活性劑中，用水熱法制備了CdWO4納米棒和納米線。

實驗過程中，CTAB主要作為合成的模板和界面定向吸附劑，在 聚四氟乙烯和正辛醇混合溶液中合成出了CdWO4納米棒，對產(chǎn)物TEM分析可得，CdWO4納米棒是沿著[100]方向生長的。

CTAB在混合溶液中形成膠束，一方面由于膠束的吸附，CdWO4的生長被限制在較小的空間范圍內(nèi)，另一方面，由于CdWO4每個晶面的電荷密度不同，對CTAB的吸 附量不同，CTAB的加入阻礙了晶面的生長。電荷密度大的晶面對CTAB的吸附強，因此宏觀上表現(xiàn)為晶面生長的各向異性，終導(dǎo)致CdWO4納米棒沿著[100]方向生長。而在合成過程中加入另一種表面活性劑SDBS在乙二醇溶液中合成出CdWO4納米線，主要利用SDBS在有機溶液中形成反相膠束作為合成CdWO4納米線的軟模板。

劉超等人利用CTAB輔助水熱法，通過控制前驅(qū)物的濃度、CTAB的濃度等實驗條件，制備TiO2溶膠。產(chǎn)品主要以銳鈦礦晶型存在，并沿C軸定向生長為針狀，直徑10～15nm。實驗對比了有無CTAB的兩種水熱合成產(chǎn)品的形貌，如圖1所示 。圖1（a）為不加CTAB的產(chǎn)品，所合成的納米針大部分團聚在一起，只有少量分散的納米針。

當(dāng)表面活性劑的質(zhì)量濃度（C）在80mg/L以下時，隨C的增加，表面活性劑對鍍液中Si3N4粒子的潤濕、乳化、分散等作用隨之增強，復(fù)合鍍層中納米Si3N4粒子的含量增加；當(dāng)質(zhì)量濃度大于 80mg/L時，表面活性劑在電極表面吸附，阻礙了 Si3N4的沉積，其含量下降。而鍍層的耐磨性與Si3N4的含量成正比，可以解釋對磨損量的影響。